凯博火热棋牌游戏：三星3nm芯片有望在第二季度开始量产

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　　三星周四表示，它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(3nm级栅极全方位早期)制造工艺大批量生产芯片。这一宣布不仅标志着业界首个3nm级的制造技术，而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管(GAAFET)的节点。

　　三星通过世界上首次大规模的GAA 3nm工艺，加强其技术领导地位。 三星代工的3GAE工艺技术是该公司第一个使用GAA晶体管的工艺，三星官方称之为多桥通道场效应晶体管(MBCFETs)。

　　三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产256Mb GAAFET SRAM芯片时，它提出了一系列的要求。三星表示，该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%。不过，对三星来说，性能和功耗的实际组合将如何发挥，还有待观察。

　　另外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET有望减少20%-30%的电池面积。三星的3GAE，作为一种"早期"的3nm级制造技术，3GAE将主要被三星LSI(三星的芯片开发部门)和两三个高级客户使用。考虑到三星LSI和早期客户倾向大批量制造芯片，预计3GAE技术将得到相当广泛的使用，前提是这些产品的产量和性能达到预期。

编辑：齐少恒